货期:国内(1~3工作日)
起订量:38
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
38 | ¥6.096918 | ¥231.68 |
800 | ¥5.822899 | ¥4658.32 |
2000 | ¥5.54888 | ¥11097.76 |
5000 | ¥5.343366 | ¥26716.83 |
14000 | ¥5.206357 | ¥72889.00 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 8.7 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 6.9 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23 ns
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 8.3 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SP001516680
单位重量 330 mg
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0AUIRFR120Z
型号:AUIRFR120Z
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
38+: | ¥6.096918 |
800+: | ¥5.822899 |
2000+: | ¥5.54888 |
5000+: | ¥5.343366 |
14000+: | ¥5.206357 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00