货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥6.667124 | ¥6.67 |
10 | ¥5.083682 | ¥50.84 |
30 | ¥4.791996 | ¥143.76 |
100 | ¥4.500309 | ¥450.03 |
500 | ¥4.3753 | ¥2187.65 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.1 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 34 ns
正向跨导(Min) 20 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4925BDY-T1
单位重量 187 mg
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0SI4925BDY-T1-E3
型号:SI4925BDY-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.667124 |
10+: | ¥5.083682 |
30+: | ¥4.791996 |
100+: | ¥4.500309 |
500+: | ¥4.3753 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.67