货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥15.596239 | ¥15.60 |
10 | ¥11.520768 | ¥115.21 |
30 | ¥10.771918 | ¥323.16 |
100 | ¥10.023068 | ¥1002.31 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管极性 N-Channel
技术 Si
漏极电流 3 A
漏源击穿电压 20 V
工作频率 520 MHz
输出功率 7 W
配置 Single
耗散功率 20 W
栅极电压 10 V
栅源极阈值电压 1.05 V
增益 11.4 dB
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
单位重量 80 mg
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02SK3476(TE12L,Q)
型号:2SK3476(TE12L,Q)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.596239 |
10+: | ¥11.520768 |
30+: | ¥10.771918 |
100+: | ¥10.023068 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.60