EPC2100ENGRT
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2100ENGRT
制造商
EPS
商品描述
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Discontinued at Digi-Key
FET 类型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 功能
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A (Ta), 40A (Ta)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
Die
供应商器件封装
Die
EPC2100ENGRT 相关产品
EPC2100ENGRT 同类别型号
注
EPC2100ENGRT
型号：EPC2100ENGRT
品牌：EPS
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00