APTGT100A120D1G
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- 制造商编号：
- APTGT100A120D1G
- 制造商：
- MICROSEMI(美高森美)
- 产品类别：
- 晶体管IGBT
- 商品描述：
- IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
APTGT100A120D1G
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1
包装
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系列
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零件状态
Obsolete
IGBT 类型
Trench Field Stop
配置
Half Bridge
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
150A
功率 - 最大值
520W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2.1V @ 15V, 100A
电流 - 集电极截止（最大值）
3mA
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
7nF @ 25V
输入
Standard
NTC 热敏电阻
No
工作温度
-
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
D1
供应商器件封装
D1
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注
APTGT100A120D1G品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 晶体管IGBT
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替代型号
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。
APTGT100A120D1G
型号：APTGT100A120D1G
品牌：MICROSEMI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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