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数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥0.819659 | ¥2458.98 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 870 mA, 640 mA
漏源电阻 400 mOhms, 700 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 736.6 pC, 622.4 pC
耗散功率 530 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12.3 ns, 20.7 ns
上升时间 7.4 ns, 8.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 26.7 ns, 28.4 ns
典型接通延迟时间 5.1 ns, 5.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0DMG1016V-7
型号:DMG1016V-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.819659 |
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单价:¥0.00总价:¥0.00