SI4925BDY-T1-E3
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- 制造商编号：
- SI4925BDY-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.520768 | ￥11.52 |
| 10 | ￥8.784586 | ￥87.85 |
| 30 | ￥8.280552 | ￥248.42 |
| 100 | ￥7.776518 | ￥777.65 |
| 500 | ￥7.560504 | ￥3780.25 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.1 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 34 ns
正向跨导（Min） 20 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4925BDY-T1
单位重量 187 mg
SI4925BDY-T1-E3 同类别型号
注
SI4925BDY-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI4925BDY-T1-E3
数据手册PDF。
SI4925BDY-T1-E3
型号：SI4925BDY-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.520768 |
| 10+： | ￥8.784586 |
| 30+： | ￥8.280552 |
| 100+： | ￥7.776518 |
| 500+： | ￥7.560504 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.52