货期:(7~10天)
起订量:1
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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥5.800418 | ¥5.80 |
10 | ¥4.379908 | ¥43.80 |
100 | ¥2.729748 | ¥272.97 |
500 | ¥1.867972 | ¥933.99 |
1000 | ¥1.436848 | ¥1436.85 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 870 mA, 640 mA
漏源电阻 400 mOhms, 700 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 736.6 pC, 622.4 pC
耗散功率 530 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12.3 ns, 20.7 ns
上升时间 7.4 ns, 8.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 26.7 ns, 28.4 ns
典型接通延迟时间 5.1 ns, 5.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0DMG1016V-7
型号:DMG1016V-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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1+: | ¥5.800418 |
10+: | ¥4.379908 |
100+: | ¥2.729748 |
500+: | ¥1.867972 |
1000+: | ¥1.436848 |
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