货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.48276 | ¥4.48 |
10 | ¥3.48659 | ¥34.87 |
100 | ¥2.088218 | ¥208.82 |
500 | ¥1.933564 | ¥966.78 |
1000 | ¥1.314943 | ¥1314.94 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 880 mA
漏源电阻 270 mOhms, 373 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 550 mV
栅极电荷 260 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 0.9 ns, 0.9 ns
正向跨导(Min) 2.5 S, 2.5 S
上升时间 2.2 ns, 2.2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.8 ns, 7.8 ns
典型接通延迟时间 1.9 ns, 1.9 ns
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSD840N H6327 SP000917654
单位重量 7.500 mg
购物车
0BSD840NH6327XTSA1
型号:BSD840NH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.48276 |
10+: | ¥3.48659 |
100+: | ¥2.088218 |
500+: | ¥1.933564 |
1000+: | ¥1.314943 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.48