DMN26D0UDJ-7
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- DMN26D0UDJ-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963
- 渠道：
- 自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥0.704171 | ￥3.52 |
| 50 | ￥0.592675 | ￥29.63 |
| 150 | ￥0.536926 | ￥80.54 |
| 500 | ￥0.495115 | ￥247.56 |
| 2500 | ￥0.461667 | ￥1154.17 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Gate Drivers
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 240 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 -
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15.2 ns
正向跨导（Min） 180 mS
上升时间 7.9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13.4 ns
典型接通延迟时间 3.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
单位重量 270 mg
DMN26D0UDJ-7 同类别型号
注
DMN26D0UDJ-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMN26D0UDJ-7
数据手册PDF
。
DMN26D0UDJ-7
型号：DMN26D0UDJ-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥0.704171 |
| 50+： | ￥0.592675 |
| 150+： | ￥0.536926 |
| 500+： | ￥0.495115 |
| 2500+： | ￥0.461667 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00