货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥19.49653 | ¥19.50 |
10 | ¥16.159624 | ¥161.60 |
100 | ¥12.86646 | ¥1286.65 |
500 | ¥10.886563 | ¥5443.28 |
1000 | ¥9.237107 | ¥9237.11 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 510 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD80R600P7 SP001644246
单位重量 360 mg
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0IPD80R600P7ATMA1
型号:IPD80R600P7ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.49653 |
10+: | ¥16.159624 |
100+: | ¥12.86646 |
500+: | ¥10.886563 |
1000+: | ¥9.237107 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.50