ZXMC4559DN8TC
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- 制造商编号：
- ZXMC4559DN8TC
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3.6 A, 2.6 A
漏源电阻 55 mOhms, 125 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20.4 nC, 12.1 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10.6 ns, 10 ns
正向跨导（Min） 10.2 S, 7.2 S
上升时间 4.1 ns, 4.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 26.2 ns, 35 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns, 3.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
ZXMC4559DN8TC 同类别型号
注
ZXMC4559DN8TC
型号：ZXMC4559DN8TC
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00