SH8J66TB1
库存 ：4243
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥28.665971 | ￥28.67 |
| 10 | ￥25.762306 | ￥257.62 |
| 25 | ￥24.306766 | ￥607.67 |
| 100 | ￥20.707457 | ￥2070.75 |
| 500 | ￥17.013746 | ￥8506.87 |
| 1000 | ￥14.096984 | ￥14096.98 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 19 mOhms
耗散功率 2 W
正向跨导（Min） 11 S
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
SH8J66TB1 同类别型号
注
SH8J66TB1品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
SH8J66TB1
型号：SH8J66TB1
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：4243 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥28.665971 |
| 10+： | ￥25.762306 |
| 25+： | ￥24.306766 |
| 100+： | ￥20.707457 |
| 500+： | ￥17.013746 |
| 1000+： | ￥14.096984 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥28.67