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ZXMC4559DN8TC

DIODES(美台)
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制造商编号:
ZXMC4559DN8TC
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
渠道:
digikey

库存 :1376

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 18.410476 18.41
10 16.532359 165.32
25 15.598244 389.96
100 12.168212 1216.82
250 11.855852 2963.96
500 10.29578 5147.89
1000 8.735708 8735.71

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 3.6 A, 2.6 A

漏源电阻 55 mOhms, 125 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 20.4 nC, 12.1 nC

耗散功率 1.25 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 10.6 ns, 10 ns

正向跨导(Min) 10.2 S, 7.2 S

上升时间 4.1 ns, 4.1 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 26.2 ns, 35 ns

典型接通延迟时间 3.5 ns, 3.5 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 750 mg

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型号:ZXMC4559DN8TC

品牌:DIODES

供货:锐单

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1+: ¥18.410476
10+: ¥16.532359
25+: ¥15.598244
100+: ¥12.168212
250+: ¥11.855852
500+: ¥10.29578
1000+: ¥8.735708

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