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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥18.410476 | ¥18.41 |
10 | ¥16.532359 | ¥165.32 |
25 | ¥15.598244 | ¥389.96 |
100 | ¥12.168212 | ¥1216.82 |
250 | ¥11.855852 | ¥2963.96 |
500 | ¥10.29578 | ¥5147.89 |
1000 | ¥8.735708 | ¥8735.71 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3.6 A, 2.6 A
漏源电阻 55 mOhms, 125 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20.4 nC, 12.1 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10.6 ns, 10 ns
正向跨导(Min) 10.2 S, 7.2 S
上升时间 4.1 ns, 4.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 26.2 ns, 35 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns, 3.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0ZXMC4559DN8TC
型号:ZXMC4559DN8TC
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.410476 |
10+: | ¥16.532359 |
25+: | ¥15.598244 |
100+: | ¥12.168212 |
250+: | ¥11.855852 |
500+: | ¥10.29578 |
1000+: | ¥8.735708 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.41