货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.487351 | ¥1462.05 |
6000 | ¥0.438596 | ¥2631.58 |
15000 | ¥0.389908 | ¥5848.62 |
30000 | ¥0.365497 | ¥10964.91 |
75000 | ¥0.324099 | ¥24307.43 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 2.4 Ohms, 2.4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 1.23 nC
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13.6 ns, 13.6 ns
上升时间 2.6 ns, 2.6 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 18.2 ns, 18.2 ns
典型接通延迟时间 2.9 ns, 2.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
购物车
0DMN33D8LDW-7
型号:DMN33D8LDW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.487351 |
6000+: | ¥0.438596 |
15000+: | ¥0.389908 |
30000+: | ¥0.365497 |
75000+: | ¥0.324099 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00