CSD87355Q5D
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥35.58534 | ￥35.59 |
| 10 | ￥31.927956 | ￥319.28 |
| 25 | ￥30.123977 | ￥753.10 |
| 100 | ￥25.665925 | ￥2566.59 |
| 250 | ￥24.099181 | ￥6024.80 |
| 500 | ￥21.086784 | ￥10543.39 |
| 1000 | ￥19.893192 | ￥19893.19 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 45 A
漏源电阻 3.9 mOhms, 900 uOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V, 750 mV
栅极电荷 10.5 nC, 24.3 nC
耗散功率 12 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns, 6 ns
正向跨导（Min） 90 S, 151 S
上升时间 18 ns, 14 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 27 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 10 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 161.600 mg
CSD87355Q5D 同类别型号
注
CSD87355Q5D品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CSD87355Q5D
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。
CSD87355Q5D
型号：CSD87355Q5D
品牌：TI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥35.58534 |
| 10+： | ￥31.927956 |
| 25+： | ￥30.123977 |
| 100+： | ￥25.665925 |
| 250+： | ￥24.099181 |
| 500+： | ￥21.086784 |
| 1000+： | ￥19.893192 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥35.59