货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.50714 | ¥4.51 |
10 | ¥3.36302 | ¥33.63 |
100 | ¥1.908024 | ¥190.80 |
500 | ¥1.263156 | ¥631.58 |
1000 | ¥0.968458 | ¥968.46 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 2.4 Ohms, 2.4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 1.23 nC
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13.6 ns, 13.6 ns
上升时间 2.6 ns, 2.6 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 18.2 ns, 18.2 ns
典型接通延迟时间 2.9 ns, 2.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0DMN33D8LDW-7
型号:DMN33D8LDW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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1+: | ¥4.50714 |
10+: | ¥3.36302 |
100+: | ¥1.908024 |
500+: | ¥1.263156 |
1000+: | ¥0.968458 |
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