BSM300D12P2E001
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5900.541384 | ￥5900.54 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
产品 Power MOSFET Modules
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
栅极电压 - 6 V, 22 V
配置 Half-Bridge
下降时间 65 ns
漏极电流 300 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 1875 W
上升时间 70 ns
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
典型延迟时间 80 ns
典型关闭延迟时间 250 ns
典型接通延迟时间 80 ns
漏源击穿电压 1200 V
栅源极阈值电压 1.6 V
外形参数
高度 17 mm
长度 122 mm
宽度 62 mm
物理类型
产品种类 分立半导体模块
类型 SiC Power MOSFET
安装风格 Screw Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 444.780 g
BSM300D12P2E001 同类别型号
注
BSM300D12P2E001品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、BSM300D12P2E001
数据手册PDF。
BSM300D12P2E001
型号：BSM300D12P2E001
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5900.541384 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5900.54