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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥5.431682 | ¥5.43 |
10 | ¥4.40313 | ¥44.03 |
100 | ¥2.998982 | ¥299.90 |
500 | ¥2.249179 | ¥1124.59 |
1000 | ¥1.686827 | ¥1686.83 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V, 8 V
漏极电流 630 mA, 775 mA
漏源电阻 375 mOhms, 900 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V, - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 600 mV, 450 mV
栅极电荷 1.3 nC, 2.2 nC
耗散功率 550 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 506 ns, 36 ns
正向跨导(Min) 2 S, 2 S
上升时间 227 ns, 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 786 ns, 50 ns
典型接通延迟时间 83 ns, 13 ns
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0NTJD4105CT1G
型号:NTJD4105CT1G
品牌:ON
供货:锐单
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1+: | ¥5.431682 |
10+: | ¥4.40313 |
100+: | ¥2.998982 |
500+: | ¥2.249179 |
1000+: | ¥1.686827 |
货期:7-10天
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