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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3.6 A, 2.6 A
漏源电阻 55 mOhms, 125 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20.4 nC, 12.1 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10.6 ns, 10 ns
正向跨导(Min) 10.2 S, 7.2 S
上升时间 4.1 ns, 4.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 26.2 ns, 35 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns, 3.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0ZXMC4559DN8TC
型号:ZXMC4559DN8TC
品牌:DIODES
供货:锐单
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