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制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 4.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 16.8 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.4 ns
正向跨导(Min) 18 S
上升时间 7.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34.7 ns
典型接通延迟时间 13.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RS1E200GN
单位重量 771.020 mg
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0RS1E200GNTB
型号:RS1E200GNTB
品牌:ROHM
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