货期:(7~10天)
起订量:1
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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.917451 | ¥4.92 |
10 | ¥4.022222 | ¥40.22 |
100 | ¥2.134679 | ¥213.47 |
500 | ¥1.404122 | ¥702.06 |
1000 | ¥0.954743 | ¥954.74 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 220 mA
漏源电阻 2.8 Ohms, 2.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 870 pC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6.3 ns, 6.3 ns
正向跨导(Min) 80 mS, 80 mS
上升时间 3.2 ns, 3.2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns, 12 ns
典型接通延迟时间 3.3 ns, 3.3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0DMN63D8LDWQ-7
型号:DMN63D8LDWQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.917451 |
10+: | ¥4.022222 |
100+: | ¥2.134679 |
500+: | ¥1.404122 |
1000+: | ¥0.954743 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.92