TSM250N02DCQ RFG
库存 ：17989
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.854837 | ￥6.85 |
| 10 | ￥5.870233 | ￥58.70 |
| 100 | ￥4.084237 | ￥408.42 |
| 500 | ￥3.18912 | ￥1594.56 |
| 1000 | ￥2.592127 | ￥2592.13 |
规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.8 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 7.7 nC
耗散功率 620 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7.6 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 11.6 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 23.9 ns
典型接通延迟时间 4.1 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM250N02DCQ
单位重量 61.816 mg
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注
TSM250N02DCQ RFG品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、TSM250N02DCQ RFG
数据手册PDF
。
TSM250N02DCQ RFG
型号：TSM250N02DCQ RFG
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：17989 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.854837 |
| 10+： | ￥5.870233 |
| 100+： | ￥4.084237 |
| 500+： | ￥3.18912 |
| 1000+： | ￥2.592127 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.85