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IXTP8N65X2M

IXYS(艾赛斯.力特)
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制造商编号:
IXTP8N65X2M
制造商:
IXYS(艾赛斯.力特)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
渠道:
digikey

库存 :42

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 29.984345 29.98
50 24.097624 1204.88
100 19.826385 1982.64
500 17.900655 8950.33

规格参数

关键信息

制造商 IXYS

商标名 HiPerFET

商标 IXYS

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 650 V

漏极电流 8 A

漏源电阻 550 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 12 nC

耗散功率 32 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 24 ns

正向跨导(Min) 4.8 S

上升时间 28 ns

典型关闭延迟时间 53 ns

典型接通延迟时间 24 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 2 g

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IXTP8N65X2M

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型号:IXTP8N65X2M

品牌:IXYS

供货:锐单

库存:42 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥29.984345
50+: ¥24.097624
100+: ¥19.826385
500+: ¥17.900655

货期:7-10天

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