
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥29.984345 | ¥29.98 |
| 50 | ¥24.097624 | ¥1204.88 |
| 100 | ¥19.826385 | ¥1982.64 |
| 500 | ¥17.900655 | ¥8950.33 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 550 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 32 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导(Min) 4.8 S
上升时间 28 ns
典型关闭延迟时间 53 ns
典型接通延迟时间 24 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0IXTP8N65X2M
型号:IXTP8N65X2M
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥29.984345 |
| 50+: | ¥24.097624 |
| 100+: | ¥19.826385 |
| 500+: | ¥17.900655 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥29.98