
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.647082 | ¥1941.25 |
| 6000 | ¥0.607873 | ¥3647.24 |
| 15000 | ¥0.568664 | ¥8529.96 |
| 30000 | ¥0.521581 | ¥15647.43 |
| 75000 | ¥0.502004 | ¥37650.30 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 440 mA
漏源电阻 1.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 450 fC
耗散功率 580 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 16.3 ns
上升时间 3.4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.4 ns
典型接通延迟时间 3.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0DMG1026UV-7
型号:DMG1026UV-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.647082 |
| 6000+: | ¥0.607873 |
| 15000+: | ¥0.568664 |
| 30000+: | ¥0.521581 |
| 75000+: | ¥0.502004 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00