
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.565298 | ¥5.57 |
| 10 | ¥4.465489 | ¥44.65 |
| 100 | ¥3.041039 | ¥304.10 |
| 500 | ¥2.280712 | ¥1140.36 |
| 1000 | ¥1.710535 | ¥1710.53 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 440 mA
漏源电阻 1.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 450 fC
耗散功率 580 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 16.3 ns
上升时间 3.4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.4 ns
典型接通延迟时间 3.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0DMG1026UV-7
型号:DMG1026UV-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.565298 |
| 10+: | ¥4.465489 |
| 100+: | ¥3.041039 |
| 500+: | ¥2.280712 |
| 1000+: | ¥1.710535 |
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单价:¥0.00总价:¥5.57