NTMD6N02R2G
库存 ：539
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.873298 | ￥10.87 |
| 10 | ￥9.612984 | ￥96.13 |
| 100 | ￥7.369129 | ￥736.91 |
| 500 | ￥5.82537 | ￥2912.69 |
| 1000 | ￥4.660319 | ￥4660.32 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.07 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 60 ns, 80 ns
正向跨导（Min） 10 S
上升时间 35 ns, 50 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 11 ns, 12 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 74 mg
NTMD6N02R2G 同类别型号
注
NTMD6N02R2G
型号：NTMD6N02R2G
品牌：ON
供货：锐单
库存：539 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥10.873298 |
| 10+： | ￥9.612984 |
| 100+： | ￥7.369129 |
| 500+： | ￥5.82537 |
| 1000+： | ￥4.660319 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.87