CSD87334Q3D
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥5.368208 | ￥13420.52 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 8.3 mOhms, 8.3 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 750 mV
栅极电荷 8.3 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns, 17 ns
上升时间 7 ns, 7 ns
晶体管类型 1 N-channel
典型关闭延迟时间 11 ns, 11 ns
典型接通延迟时间 4 ns, 4 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 76 mg
CSD87334Q3D 同类别型号
注
CSD87334Q3D品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购CSD87334Q3D、查询CSD87334Q3D代理商；
CSD87334Q3D价格批发咨询客服；这里拥有
CSD87334Q3D中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到CSD87334Q3D
替代型号
、CSD87334Q3D
数据手册PDF
。
CSD87334Q3D
型号：CSD87334Q3D
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥5.368208 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00