2SK3666-2-TB-E
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.552108 | ￥1.55 |
| 25 | ￥1.353966 | ￥33.85 |
| 50 | ￥1.254896 | ￥62.74 |
| 100 | ￥1.172336 | ￥117.23 |
| 250 | ￥1.122802 | ￥280.70 |
| 500 | ￥1.056754 | ￥528.38 |
| 1000 | ￥0.990707 | ￥990.71 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
2SK3666-2-TB-E
制造商
ON(安森美)
商品描述
JFET NCH 30V 200MW 3CP
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
*
零件状态
Active
FET 类型
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
漏源电压（Vdss）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
电阻 - RDS（开）
-
功率 - 最大值
-
工作温度
-
安装类型
-
封装/外壳
-
供应商器件封装
-
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注
2SK3666-2-TB-E品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-JFET
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数据手册PDF。
2SK3666-2-TB-E
型号：2SK3666-2-TB-E
品牌：ON
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.552108 |
| 25+： | ￥1.353966 |
| 50+： | ￥1.254896 |
| 100+： | ￥1.172336 |
| 250+： | ￥1.122802 |
| 500+： | ￥1.056754 |
| 1000+： | ￥0.990707 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1.55