FDG6301N
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.829181 | ￥2487.54 |
| 6000 | ￥0.787023 | ￥4722.14 |
| 9000 | ￥0.730832 | ￥6577.49 |
| 30000 | ￥0.713969 | ￥21419.07 |
| 75000 | ￥0.69575 | ￥52181.25 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 220 mA
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 650 mV
栅极电荷 400 pC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.5 ns
正向跨导（Min） 0.2 S
上升时间 4.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 4 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
零件号别名 FDG6301N_NL
单位重量 28 mg
FDG6301N 同类别型号
注
FDG6301N品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、FDG6301N
数据手册PDF。
FDG6301N
型号：FDG6301N
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.829181 |
| 6000+： | ￥0.787023 |
| 9000+： | ￥0.730832 |
| 30000+： | ￥0.713969 |
| 75000+： | ￥0.69575 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00