ECH8659-TL-W
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 55 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.6 V
栅极电荷 11.8 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 25 ns
正向跨导（Min） 2.2 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 43 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 19.450 mg
ECH8659-TL-W 同类别型号
注
ECH8659-TL-W品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF。
ECH8659-TL-W
型号：ECH8659-TL-W
品牌：ON
供货：锐单
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