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起订量:10000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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10000 | ¥1.173862 | ¥11738.62 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 270 mA
漏源电阻 4.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 1.8 nC
耗散功率 380 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.9 ns
上升时间 2.6 ns
典型关闭延迟时间 8.4 ns
典型接通延迟时间 3.3 ns
高度 0.975 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMP10H4D2S-13
型号:DMP10H4D2S-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10000+: | ¥1.173862 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00