
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥14.386682 | ¥14.39 |
| 50 | ¥11.544723 | ¥577.24 |
| 100 | ¥9.499337 | ¥949.93 |
| 500 | ¥8.037674 | ¥4018.84 |
| 1000 | ¥6.819818 | ¥6819.82 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 120 V
漏极电流 179 A
漏源电阻 4.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 130 nC
耗散功率 255 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 37 ns
上升时间 33 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 120 ns
典型接通延迟时间 64 ns
高度 15.1 mm
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK72E12N1,S1X
型号:TK72E12N1,S1X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥14.386682 |
| 50+: | ¥11.544723 |
| 100+: | ¥9.499337 |
| 500+: | ¥8.037674 |
| 1000+: | ¥6.819818 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥14.39