SI5915DC-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI5915DC-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI5915DC-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 P-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
8V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.4A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
70mOhm @ 3.4A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
450mV @ 250µA (Min)
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
1.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装
1206-8 ChipFET™
SI5915DC-T1-GE3 同类别型号
注
SI5915DC-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购SI5915DC-T1-GE3、查询SI5915DC-T1-GE3代理商；
SI5915DC-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SI5915DC-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SI5915DC-T1-GE3
替代型号
、SI5915DC-T1-GE3
数据手册PDF。
SI5915DC-T1-GE3
型号：SI5915DC-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00