ALD1101BSAL
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：50
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 50 | ￥770.390435 | ￥38519.52 |
规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 10.6 V
漏极电流 40 mA
漏源电阻 75 Ohms
耗散功率 500 mW
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 74 mg
ALD1101BSAL 同类别型号
注
ALD1101BSAL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
ALD1101BSAL
型号：ALD1101BSAL
品牌：ALD
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 50+： | ￥770.390435 |
货期：7-10天
+ -
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