ALD212914PAL
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货期： 8周-10周
起订量：50
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 50 | ￥66.166507 | ￥3308.33 |
规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标名 EPAD
商标 Advanced Linear Devices
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 10 V
漏极电流 79 mA
漏源电阻 14 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.4 V
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
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注
ALD212914PAL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF。
ALD212914PAL
型号：ALD212914PAL
品牌：ALD
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 50+： | ￥66.166507 |
货期：7-10天
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