DMN95H2D2HCTI
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- DMN95H2D2HCTI
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：50
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 50 | ￥10.925034 | ￥546.25 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 950 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 1.7 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 20.3 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
上升时间 49 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 51 ns
典型接通延迟时间 39 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 1.850 g
DMN95H2D2HCTI 同类别型号
注
DMN95H2D2HCTI品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购DMN95H2D2HCTI、查询DMN95H2D2HCTI代理商；
DMN95H2D2HCTI价格批发咨询客服；这里拥有
DMN95H2D2HCTI中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到DMN95H2D2HCTI
替代型号
、DMN95H2D2HCTI
数据手册PDF。
DMN95H2D2HCTI
型号：DMN95H2D2HCTI
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 50+： | ￥10.925034 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00