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DMG3418L-13

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMG3418L-13
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
渠道:
digikey

库存 :1000

货期:(7~10天)

起订量:10000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
10000 0.928432 9284.32

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标名 PowerDI

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 4 A

漏源电阻 50 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 1.5 V

栅极电荷 5.5 nC

耗散功率 1.4 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 2 ns

上升时间 1.6 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 10.3 ns

典型接通延迟时间 1.9 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 8 mg

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DMG3418L-13

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型号:DMG3418L-13

品牌:DIODES

供货:锐单

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