DMG3418L-13
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- 制造商编号：
- DMG3418L-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
- 渠道：
- digikey
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：10000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ￥1.064549 | ￥10645.49 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标名 PowerDI
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 50 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 5.5 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
上升时间 1.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10.3 ns
典型接通延迟时间 1.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
DMG3418L-13 同类别型号
注
DMG3418L-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMG3418L-13
数据手册PDF
。
DMG3418L-13
型号：DMG3418L-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10000+： | ￥1.064549 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00