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数量 | 价格 | 总计 |
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10000 | ¥0.537287 | ¥5372.87 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.3 A
漏源电阻 72 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 15.9 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 33.9 ns
上升时间 15.8 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 70.3 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMP3068LVT-13
型号:DMP3068LVT-13
品牌:DIODES
供货:锐单
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10000+: | ¥0.537287 |
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