HP8MA2TB1

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 18 A, 15 A

漏源电阻 9.6 mOhms, 17.9 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 22 nC, 25 nC

耗散功率 7 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 14 ns, 60 ns

上升时间 12 ns, 14 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 46 ns, 73 ns

典型接通延迟时间 14 ns, 9.4 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 HP8MA2

单位重量 771.020 mg