HP8MA2TB1
库存 ：1701
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥39.775245 | ￥39.78 |
| 10 | ￥25.655033 | ￥256.55 |
| 100 | ￥17.585248 | ￥1758.52 |
| 500 | ￥14.124802 | ￥7062.40 |
| 1000 | ￥13.010331 | ￥13010.33 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 18 A, 15 A
漏源电阻 9.6 mOhms, 17.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 22 nC, 25 nC
耗散功率 7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 14 ns, 60 ns
上升时间 12 ns, 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 46 ns, 73 ns
典型接通延迟时间 14 ns, 9.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 HP8MA2
单位重量 771.020 mg
HP8MA2TB1 同类别型号
注
HP8MA2TB1
型号：HP8MA2TB1
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：1701 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥39.775245 |
| 10+： | ￥25.655033 |
| 100+： | ￥17.585248 |
| 500+： | ￥14.124802 |
| 1000+： | ￥13.010331 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥39.78