PHN210,118
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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
PHN210,118
制造商
NXP(恩智浦)
商品描述
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
100mOhm @ 2.2A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
250pF @ 20V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SO
PHN210,118 同类别型号
注
PHN210,118品牌厂家：NXP
，所属分类： 射频晶体管
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。
PHN210,118
型号：PHN210,118
品牌：NXP
供货：锐单
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