SISB46DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SISB46DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：7789
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.003416 | ￥13.00 |
| 10 | ￥11.320621 | ￥113.21 |
| 100 | ￥7.838765 | ￥783.88 |
| 500 | ￥6.550357 | ￥3275.18 |
| 1000 | ￥5.574794 | ￥5574.79 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 34 A
漏源电阻 11.71 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 23 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 27 ns
正向跨导（Min） 52 S
上升时间 56 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 16 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
SISB46DN-T1-GE3 同类别型号
注
SISB46DN-T1-GE3
型号：SISB46DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：7789 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥13.003416 |
| 10+： | ￥11.320621 |
| 100+： | ￥7.838765 |
| 500+： | ￥6.550357 |
| 1000+： | ￥5.574794 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.00