CAS100H12AM1
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| 数量 | 价格 | 总计 |
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
CAS100H12AM1
制造商
CREE(科锐)
商品描述
MOSFET 2N-CH 1200V 168A MODULE
包装
Bulk
系列
Z-FET™
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
168A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
20mOhm @ 20A, 20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.1V @ 50mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
9500pF @ 800V
功率 - 最大值
568W
工作温度
-
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
Module
供应商器件封装
Module
CAS100H12AM1 同类别型号
注
CAS100H12AM1品牌厂家：CREE
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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。
CAS100H12AM1
型号：CAS100H12AM1
品牌：CREE
供货：锐单
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