ALD210808APCL
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货期： 8周-10周
起订量：50
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 50 | ￥78.125965 | ￥3906.30 |
规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标名 EPAD
商标 Advanced Linear Devices
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 10.6 V
漏极电流 80 mA
漏源电阻 25 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 820 mV
栅极电荷 -
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Quad
晶体管类型 4 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 1.025 g
ALD210808APCL 同类别型号
注
ALD210808APCL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、ALD210808APCL
数据手册PDF。
ALD210808APCL
型号：ALD210808APCL
品牌：ALD
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 50+： | ￥78.125965 |
货期：7-10天
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