货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥24.049187 | ¥24.05 |
10 | ¥20.011915 | ¥200.12 |
100 | ¥15.927292 | ¥1592.73 |
500 | ¥13.477016 | ¥6738.51 |
1000 | ¥11.435078 | ¥11435.08 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 70 A
漏源电阻 6.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 131 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导(Min) 65 S
上升时间 167 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 89 ns
典型接通延迟时间 21 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD042P03L3 G SP001127836
单位重量 330 mg
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0IPD042P03L3GATMA1
型号:IPD042P03L3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥24.049187 |
10+: | ¥20.011915 |
100+: | ¥15.927292 |
500+: | ¥13.477016 |
1000+: | ¥11.435078 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥24.05