SI1926DL-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI1926DL-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
- 渠道：
- digikey
库存 ：2942
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.856868 | ￥4.86 |
| 10 | ￥4.174594 | ￥41.75 |
| 100 | ￥3.117647 | ￥311.76 |
| 500 | ￥2.449943 | ￥1224.97 |
| 1000 | ￥1.893139 | ￥1893.14 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 370 mA
漏源电阻 1.4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 1.4 nC
耗散功率 510 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 14 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 6.5 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 2.1 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1926DL-T1-BE3
单位重量 7.500 mg
SI1926DL-T1-GE3 同类别型号
注
SI1926DL-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI1926DL-T1-GE3
数据手册PDF。
SI1926DL-T1-GE3
型号：SI1926DL-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：2942 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.856868 |
| 10+： | ￥4.174594 |
| 100+： | ￥3.117647 |
| 500+： | ￥2.449943 |
| 1000+： | ￥1.893139 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.86