SI7913DN-T1-E3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI7913DN-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：51
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.953104 | ￥18.95 |
| 10 | ￥17.046236 | ￥170.46 |
| 100 | ￥13.698241 | ￥1369.82 |
| 500 | ￥11.254908 | ￥5627.45 |
| 1000 | ￥9.32539 | ￥9325.39 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 7.4 A
漏源电阻 37 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 24 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 150 ns
正向跨导（Min） 20 S
上升时间 70 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 20 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7913DN-E3
单位重量 1 g
SI7913DN-T1-E3 同类别型号
注
SI7913DN-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI7913DN-T1-E3
数据手册PDF。
SI7913DN-T1-E3
型号：SI7913DN-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：51 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥18.953104 |
| 10+： | ￥17.046236 |
| 100+： | ￥13.698241 |
| 500+： | ￥11.254908 |
| 1000+： | ￥9.32539 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥18.95