
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥35.004427 | ¥35.00 |
| 10 | ¥22.457386 | ¥224.57 |
| 100 | ¥15.285266 | ¥1528.53 |
| 500 | ¥12.217909 | ¥6108.95 |
| 1000 | ¥11.870594 | ¥11870.59 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 70 A
漏源电阻 6.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 131 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导(Min) 65 S
上升时间 167 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 89 ns
典型接通延迟时间 21 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD042P03L3 G SP001127836
单位重量 330 mg
购物车
0IPD042P03L3GATMA1
型号:IPD042P03L3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥35.004427 |
| 10+: | ¥22.457386 |
| 100+: | ¥15.285266 |
| 500+: | ¥12.217909 |
| 1000+: | ¥11.870594 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥35.00