SI4816BDY-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI4816BDY-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥22.667079 | ￥22.67 |
| 10 | ￥20.400371 | ￥204.00 |
| 100 | ￥16.394949 | ￥1639.49 |
| 500 | ￥13.470218 | ￥6735.11 |
| 1000 | ￥11.16116 | ￥11161.16 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.8 A, 11.4 A
漏源电阻 11.5 mOhms, 18.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 7.8 nC, 11.6 nC
耗散功率 1.4 W, 2.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9 ns, 11 ns
正向跨导（Min） 30 S, 31 S
上升时间 9 ns, 9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns, 31 ns
典型接通延迟时间 11 ns, 13 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4816DY-T1-E3-S
单位重量 187 mg
SI4816BDY-T1-GE3 同类别型号
注
SI4816BDY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI4816BDY-T1-GE3
数据手册PDF。
SI4816BDY-T1-GE3
型号：SI4816BDY-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥22.667079 |
| 10+： | ￥20.400371 |
| 100+： | ￥16.394949 |
| 500+： | ￥13.470218 |
| 1000+： | ￥11.16116 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥22.67